石英晶振單元頻率標(biāo)準(zhǔn)介紹
來(lái)源：http://www.cbjur26.cn 作者：康華爾電子 2019年03月19
目前的晶振逐漸的往小型化,片式化,低噪聲化,頻率精度高化與穩(wěn)定度高及頻化高等方面發(fā)展,為滿足市場(chǎng)上一切對(duì)晶振產(chǎn)品的要求,是移動(dòng)電話和天線尋呼機(jī)為代表的便攜式產(chǎn)品對(duì)石英晶體振蕩器提出的要求,事實(shí)上石英晶體振蕩器在發(fā)展過(guò)程中,也面臨像頻率發(fā)生器這類電路的潛在威脅和挑戰(zhàn).此類振蕩器只有在技術(shù)上不斷創(chuàng)新,才能延長(zhǎng)其壽命周期,在競(jìng)爭(zhēng)中占有優(yōu)勢(shì).下面將帶領(lǐng)大家對(duì)石英晶振有進(jìn)一步的了解.
石英晶體單元是已經(jīng)施加電極的石英晶片,并且其被密封在支架結(jié)構(gòu)中.(晶圓通常被稱為"空白"或"晶體板".)雖然晶體單元的設(shè)計(jì)和制造包含復(fù)雜的主題,但振蕩器設(shè)計(jì)者可以將晶體單元視為電路元件并且只需處理晶體單元的等效電路.
石英晶體單元是已經(jīng)施加電極的石英晶片,并且其被密封在支架結(jié)構(gòu)中.(晶圓通常被稱為"空白"或"晶體板".)雖然晶體單元的設(shè)計(jì)和制造包含復(fù)雜的主題,但振蕩器設(shè)計(jì)者可以將晶體單元視為電路元件并且只需處理晶體單元的等效電路.
機(jī)械振動(dòng)系統(tǒng)和圖2所示的電路是"等效的",因?yàn)槊總€(gè)都可以用相同的微分方程[6]來(lái)描述.質(zhì)量,彈簧和阻尼元件(即緩沖器)對(duì)應(yīng)于電感器,電容器和電阻器.驅(qū)動(dòng)力對(duì)應(yīng)于電壓,質(zhì)量對(duì)電容器上的電荷的位移以及對(duì)電流的速度.
圖1.機(jī)械振動(dòng)系統(tǒng)的等效電路.
石英晶振是一種機(jī)械振動(dòng)系統(tǒng),通過(guò)壓電效應(yīng)與電氣世界相連.圖3示出了諧振器的(簡(jiǎn)化的)等效電路(一種振動(dòng)模式),以及晶體單元的電路符號(hào).負(fù)載電容器CL與晶體串聯(lián)示出.C0,稱為"分流"電容,是由于晶體板上的電極加上由于晶體外殼引起的雜散電容引起的電容.電路的R1,L1,C1部分是"運(yùn)動(dòng)臂",它由晶體的機(jī)械振動(dòng)產(chǎn)生.
圖2.帶負(fù)載電容的晶體單元的等效電路.
C0至C1比率是存儲(chǔ)在石英晶體中的電能和機(jī)械能之間的相互轉(zhuǎn)換的量度,即壓電耦合因子k的量值.C0/C1隨著泛音數(shù)的平方增加;C0/C1與k和N的關(guān)系為2C0/C1=[pN2/2k],其中N是泛音數(shù).當(dāng)直流電壓施加到諧振器的電極時(shí),電容比C0/C1還可以測(cè)量由電極形成的電容器中存儲(chǔ)的電能與由壓電效應(yīng)產(chǎn)生的晶格應(yīng)變引起的在晶體中彈性存儲(chǔ)的能量之比.圖4顯示了晶體單元的電抗與頻率特性.C0/C1也與反共振諧振頻率分離(即極柱間距)成反比,這是貼片濾波器應(yīng)用中特別重要的參數(shù).電抗對(duì)鄰近F頻率曲線的斜率小號(hào)成反比到C1,即,DX/(DF/F)»1/PFC1附近?F小號(hào),其中X是電抗.C1因此,它是衡量晶體"剛度"的一種方法,即它的可調(diào)性.
圖3.晶體單元的電抗與頻率的關(guān)系.
當(dāng)負(fù)載電容與晶體串聯(lián)時(shí),石英晶體振蕩器的工作頻率增加Df',其中Df'由下式給出：
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當(dāng)電感器與晶體串聯(lián)連接時(shí),操作頻率降低.通過(guò)增加或改變電抗來(lái)改變工作頻率的能力允許補(bǔ)償TCXO晶振中晶體單元的頻率與溫度變化,并調(diào)節(jié)電壓控制晶體振蕩器(VCXO)的輸出頻率;在兩者中,通過(guò)改變變?nèi)荻O管上的電壓來(lái)改變頻率.
對(duì)于圖2的簡(jiǎn)單RLC電路,諧振曲線的寬度與品質(zhì)因數(shù)Q成反比,但在晶體振蕩器中,由于存在C0并且操作Q較低,因此情況復(fù)雜化對(duì)于石英諧振器,Q=(2pfSC1R1)1.參考文獻(xiàn)3,5和6包含等效電路的更多細(xì)節(jié).
石英晶振在由分立的R,C和L'構(gòu)建的儲(chǔ)能電路上的眾多優(yōu)點(diǎn)中,有一些優(yōu)點(diǎn)是晶體更硬,并且具有遠(yuǎn)高于普通分立元件的Q值.例如,5MHz基模ATcut晶體可具有C1=0.01pF,L1=0.1H,R1=5W和Q=106.沒(méi)有0.01pF的電容器,因?yàn)檫B接到這種電容器的引線可能單獨(dú)產(chǎn)生超過(guò)0.01pF的電容.類似地,0.1H電感器在物理上很大,它需要包括大量匝數(shù),并且需要是超導(dǎo)的以便具有5W的電阻
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